领导芯片点测系统58212 - c模型

领导芯片点测系统
领导芯片点测系统
产品特色
  • 高速及高精度
  • 支援水平型,垂直型和倒装型芯片
  • 领导电完整性测试范围(200 v / 2)
  • 可支援到8英吋晶圆
  • 浓度大面积光侦测器
  • 强大的芯片位置扫描算法
  • 外部光屏蔽设计
  • 完整的分析工具和统计报告

浓度58212 - c是一台自动化的领导外延片/芯片探针测试设备,提供快速,准确的领导测量测且整体量测时间< 125 ms。*1

系统的设计采用了灵活的设计为不同类型的领导结构包括横向型,垂直型和倒装芯片类型。用户可以选择合适的结构类型领导测量。完整扫描程序可提供独立的晶圆图以保证测试的精度。专利的探针头可防止待测物的刮伤并确保每一个领导接触。

透过色独特的光学设计与元件可取得精确且稳定快速之光学数据如主波,长峰波长,色温等,该系统具备完整之电性量测单元,无论顺向电压、漏电流,逆向崩溃电压等领导电性特性,均可于一次满足使用者的测试需求。

58212 - c包含弹性调整的软体操作界面及先进的逻辑演算法使得生产效益大幅提升;完善的统计报表及分析工具可以让使用者用轻松掌握生产状况。

注意* 1:测试条件在间距300年嗯,5道电性测项,1道光学测项条件下取样。由于领导的特性的差异,测量结果可能会有所不同。

测试项目

电源特性量测

  • 正向电压测量(Vf)
  • 反向击穿电压测量(Vrb)
  • 反向漏电流(Ir)
  • 可控硅检测

光特性量测

  • 光功率(mw, lm, mcd)
  • 主波长(Wd)
  • 峰值波长(Wp)
  • 半最大值时的全宽度(FWHM)
  • CIExy - CCT - CRI

硬体设备

  • 自动化LED晶片/芯片点测设备
  • 电性测试模组
  • 光学测试模组
  • 选配ESD测试模组

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